<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?><rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0"><channel><title>熠趣资讯</title><link>https://www.uhodaf.cn/</link><description></description><item><title>戈壁钢城“智造”升级：电池铝箔“链”全球 3D打印“入”核电</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1208.html</link><description>&lt;p&gt;　　中新网兰州4月26日电 (记者 李亚龙 高莹)“这台工业级3D打印机可以替代五个人一个月的工作量。”甘肃酒钢集团西部重工股份有限公司3D打印协理工程师裴瑞杰近日向记者表示，该机器几乎可以全年无休。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　在位于甘肃省嘉峪关市的甘肃酒钢集团西部重工股份有限公司精密铸造车间内，传统铸造发生着智能化蜕变，没有飞扬的尘土与刺耳的锤击声，取而代之的是工业级3D打印机逐层堆叠砂型的细微声响。&lt;/p&gt;  
&lt;img style=&quot;display: block; margin: auto; cursor: pointer;&quot; src=&quot;https://i2.chinanews.com.cn/simg/ypt/2026/260426/cec0bed0-a22a-4a34-8f99-fe05684a68ad_zsite.JPG&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;   4月16日，在酒钢集团西部重工公司精密铸造车间内，工作人员操作工业级3D打印机。李亚龙 摄  
&lt;p&gt;　　裴瑞杰介绍说，从集团探索应用3D打印技术以来，产品研发周期缩短超过50%，能实现传统工艺无法完成的复杂内腔、一体化结构铸型，尺寸精度提升一至两个等级。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　由该公司打造的陕汽重卡平衡轴支座、壳体制品，达到射线探伤一级标准，实现零缺陷交付，其与合作伙伴联合开发的黄河流域抽水蓄能项目泵体泵盖，成功打破了国外垄断。截至目前，西部重工已利用该工艺开发新产品50余项，成功叩开核电、水电及特种车辆等高端装备市场的大门。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　嘉峪关市因矿建企、因企设市、因关得名，是随着1958年酒钢建设而发展起来的一座新兴的现代化工业旅游城市，也是西北地区最大的钢铁工业基地。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　嘉峪关高端工业的另一片蓝海，在新能源汽车电池铝箔坯料领域展开。位于嘉峪关的甘肃东兴嘉宇新材料有限公司的生产车间内，自动化设备正加紧生产吊装新能源汽车电池铝箔坯料。该公司生产的新能源汽车用铝箔坯料及铝板带系列产品，已通过国际汽车特别工作组质量管理体系认证，拿到全球汽车供应链“通行证”。&lt;/p&gt;   4月20日，在位于甘肃省嘉峪关市的甘肃东兴嘉宇新材料有限公司生产车间内，自动化设备进行新能源汽车电池铝箔坯料生产与吊装。李亚龙 摄  
&lt;p&gt;　　“铝箔坯料面向国内头部新能源电池企业。”甘肃东兴嘉宇新材料有限公司总工程师刘建兴坦言，其核心产品1100、1060合金电池箔坯料凭借过硬的产品质量，在全球市场斩获大量订单。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　作为热镀锌领域技术难度最大的品种之一，泛着银亮光泽的酒钢新一代锌铝镁产品，正在嘉峪关一厂区被吊装发运。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　“2025年底，酒钢新一代锌铝镁产品成功量产，产品已广泛应用于冷却塔、储能设施、海上光伏等严苛环境，并出口至泰国、菲律宾、阿根廷等多个国家。”酒钢集团宏兴股份宏宇新材料公司酸镀作业区工艺责任工程师石光耀表示，目前企业已具备百万吨级产能优势。&lt;/p&gt;   4月16日，在位于甘肃省嘉峪关市的酒泉钢铁(集团)有限责任公司厂区内，自动化设备进行新一代锌铝镁产品生产。李亚龙 摄  
&lt;p&gt;　　自组建团队攻关以来，酒钢在国内无批量生产实绩的背景下，历时六年技术攻关，成功产出国内首卷拥有自主知识产权的锌铝镁产品。此后，酒钢主导编写了该领域的国际标准，填补了相关国际标准空白。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　从掌握国际标准话语权的高端锌铝镁板材，到紧握全球汽车供应链“通行证”的电池铝箔，再到3D打印进入核电、特种车辆等高端装备市场的大门，嘉峪关这座戈壁钢城正通过向“高精尖”要效益、向“智造”要效率，在高质量发展的道路上展现出新的韧性与活力。(完)&lt;/p&gt; 
&lt;table border=&quot;0&quot; cellspacing=&quot;0&quot; cellpadding=&quot;0&quot;&gt; 
 &lt;tbody&gt; 
  &lt;tr&gt; 
   &lt;td&gt;    &lt;/td&gt; 
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 &lt;/tbody&gt; 
&lt;/table&gt;    
&lt;span&gt;【编辑:梁异】 &lt;/span&gt;</description><pubDate>Sun, 26 Apr 2026 14:34:39 +0800</pubDate></item><item><title>中国电建(601669):中国电力建设股份有限公司2025年度涉及财务公司关联交易的专项说明</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1207.html</link><description>原标题:中国电建:关于中国电力建设股份有限公司2025年度涉及财务公司关联交易的专项说明 
&lt;br&gt; 
&lt;p&gt;&lt;img src=&quot;https://quote.cfi.cn/drawprice.aspx?style=middle&amp;amp;w=600&amp;amp;h=270&amp;amp;v=1&amp;amp;type=day&amp;amp;exdate=20260424&amp;amp;stockid=12338&amp;amp;stockcode=601669&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt;关于中国电力建设股份有限公司 
&lt;br&gt; 2025年度 
&lt;br&gt; 涉及财务公司关联交易的专项说明 
&lt;br&gt; 信会师报字[2026]第 ZG11270号 
&lt;br&gt; 关于中国电力建设股份有限公司 2025年度 
&lt;br&gt; 涉及财务公司关联交易的专项说明 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 信会师报字[2026]第 ZG11270号 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 中国电力建设股份有限公司全体股东： 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 我们审计了中国电力建设股份有限公司(以下简称“中国电 
&lt;br&gt; 建”)2025年度的财务报表，包括 2025年 12月 31日的合并及母公司资产负债表、2025年度合并及母公司利润表、合并及母公司现金流 
&lt;br&gt; 量表、合并及母公司所有者权益变动表和相关财务报表附注，并于 
&lt;br&gt; 2026年 4月 22日出具了报告号为信会师报字[2026]第 ZG11276号的 
&lt;br&gt; 无保留意见审计报告。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 中国电建管理层根据中国证券监督管理委员会《关于规范上市公 
&lt;br&gt; 司与企业集团财务公司业务往来的通知》（证监发〔2022〕48号） 
&lt;br&gt; 和《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 5号——交易与关联交易》的相关规定编制了后附的中国电建 2025年度涉及财务公司关联 
&lt;br&gt; 交易汇总表（以下简称“财务公司关联交易汇总表”）。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 编制财务公司关联交易汇总表并确保其真实、准确、完整是中国 
&lt;br&gt; 电建管理层的责任。我们将财务公司关联交易汇总表所载信息与我们审计中国电建 2025年度财务报表时所审核的会计资料及已审计财务 
&lt;br&gt; 报表中披露的相关内容进行了核对，没有发现在重大方面存在不一致的情况。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 为了更好地理解中国电建 2025年度涉及财务公司关联交易的情 
&lt;br&gt; 况，财务公司关联交易汇总表应当与已审计财务报表一并阅读。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 本报告仅供中国电建为披露 2025年年度报告的目的使用，不得 
&lt;br&gt; 用作任何其他目的。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 立信会计师事务所 中国注册会计师： 
&lt;br&gt; （特殊普通合伙） 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 中国注册会计师： 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 中国·上海 2026年 4月 22日 
&lt;br&gt;</description><pubDate>Sun, 26 Apr 2026 14:10:47 +0800</pubDate></item><item><title>AI周报：DeepSeek-V4发布 国产芯片加持</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1206.html</link><description>&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;DeepSeek-V4发布，&lt;span&gt;华为昇腾&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;加持&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月24日，DeepSeek宣布，全新系列模型DeepSeek-V4的预览版本正式上线并同步开源。DeepSeek-V4支持百万字超长上下文，在Agent（智能体）能力、世界知识和推理性能上均实现国内与开源领域领先。V4模型按大小分为Pro和Flash两个版本，也对应目前官方网页端和APP界面的专家模式和快速模式。其中Pro参数为1.6万亿，激活490亿，预训练数据33万亿；Flash参数为2840亿，激活130亿，预训练数据32万亿。值得一提的是，业界一直在关注DeepSeek-V4是否会使用国产算力，目前华为&lt;strong&gt;昇腾&lt;/strong&gt;和&lt;span&gt;寒武纪&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;方面均已确认。DeepSeek则在小字中表示，受限于高端算力，目前Pro的服务吞吐十分有限，预计下半年昇腾950超节点批量上市后，Pro的价格会大幅下调。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】DeepSeek这次在海内外全网发布更新后，热度飙升。相较于DeepSeek-V4的能力，海外更关注DeepSeek与华为的合作。&lt;span&gt;高盛&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;分析师认为，华为搭载昇腾AI处理器的新一代AI计算集群，可适配运行DeepSeek-V4，这意味着中国自研AI硬件生态，正在为前沿大模型提供算力支撑。此外，DeepSeek-V4没有复制“DeepSeek-R1时刻”，也没有引发美国科技股大跌，有研究员认为“因为外界对中国AI能力的期望值要比以往高得多”。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;谷歌计划向Anthropic投资至多400亿美元&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月25日消息，据外媒报道，谷歌已承诺向Anthropic投资100亿美元（约合人民币684亿元）现金，如果Anthropic达到业绩目标，未来可能还会追加300亿美元（约合人民币2051亿元），并支持Anthropic大幅扩展其计算能力。随着Claude Code这一可加速&lt;span&gt;软件开发&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;流程的&lt;span&gt;AI智能体&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;取得突破性成功，Anthropic正加快融资步伐。该公司近日还提到，从&lt;span&gt;亚马逊&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;获得了另一笔50亿美元投资，对其估值为3500亿美元，并附带未来追加200亿美元投资的选择权。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】谷歌的TPU是&lt;span&gt;英伟达&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;芯片的重要替代方案之一，在需要巨量算力的AI行业，这些芯片对Anthropic等开发者来说既稀缺又关键。因此，谷歌与Anthropic既是大模型方面的劲敌，又是算力供需方面的合作伙伴。除开此次投资，2023年至今，谷歌已向Anthropic投资约30亿美元。Claude Code已成为硅谷工程师的首选工具，据外媒报道，Anthropic在头部私募股权交易平台Forge Global的估值突破1万亿美元，超过OpenAI的约8800亿美元。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;OpenAI新图像模型超越谷歌登顶&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　北京时间4月22日，OpenAI发布了新的图像生成模型ChatGPT Images2，生图能力被认为跨越了一个大的台阶。OpenAI CEO奥尔特曼（Sam Altman）提到Images2是公司迄今为止功能最强大的图像生成模型。“Images 2是一个巨大的飞跃，就像从GPT-3一步跳到了GPT-5。”奥尔特曼说。从评测基准来看，Images2确实表现出色。海外大模型评测机构Arena.ai发帖表示，OpenAI的GPT-Image-2已登顶所有Image Arena排行榜第一，并在文生图领域以创纪录的242分优势领先第二名的谷歌Nano-banana-2。“这是迄今为止见过的最大差距，此前没有任何模型能在Image Arena 以如此大的优势主导。”Arena.ai表示。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;【点评&lt;/strong&gt;】从第一财经记者的实测以及各方反馈来看，这次的提升确实不小。不少网友实测后感慨，“GPT images2终结了比赛”“强得有点离谱了”“设计行业要变天了”。Images 2已经重新定义了AI图像生成的顶尖水平，人人都是设计师的时代或许更快到来了，“这件事对内容行业、设计协作、信息表达都会有影响。”&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;OpenAI靠GPT-5.5夺回第一&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月24日，OpenAI发布了GPT-5.5及面向更高阶任务的GPT-5.5Pro版本，官方发文表示，GPT-5.5是团队迄今为止最智能、最直观易用的模型，也是在&lt;span&gt;计算机&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;上完成工作的新方式的下一步，能更快地理解用户意图，并能承担更多工作。距离OpenAI上次发布GPT5.4仅不到两个月时间，从网友的实测来看GPT-5.5已经有了不小的进步，更会说“人话”了、更快了、编程更强了，“OpenAI仍在创新”，但同时，价格也翻倍了。在第三方评测机构Artificial Analysis的&lt;span&gt;综合&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;智能指数榜单上，OpenAI凭借GPT-5.5系列拿下了第一名和第二名，前六中包揽了四席。Artificial Analysis发帖认为，“GPT-5.5让OpenAI重回AI领域的第一位，打破了与Anthropic和谷歌的三方平局。”&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】OpenAI近期发布节奏明显加快，且产品反响热烈。“这次OpenAI真的要翻盘了”，行业里有人这么感慨。这几个月，曾经稳坐头把交椅的OpenAI各方面都面临被Anthropic超越的压力，无论是估值还是年化收入都在被追赶甚至快超越。在这种压力下，这两天图像模型GPT Images2、旗舰模型GPT-5.5的密集发布，某种意义上是OpenAI对外界的一次公开喊话，OpenAI在重新回到牌桌中心。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;谷歌发TPU芯片挑战&lt;span&gt;英伟达&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　当地时间4月22日，Google Cloud Next 26大会开幕，会上谷歌发布了智能体时代的“全家桶”，包括企业级智能体平台、云安全智能体等一系列更新，但最受资本市场关注的还是谷歌面向智能体推出的第八代TPU芯片：针对AI模型训练的TPU 8t和更适合推理任务的TPU 8i。谷歌提到，系列芯片将于今年晚些时候正式上市，并可作为谷歌AI超级&lt;span&gt;计算机&lt;/span&gt;的一部分使用。“每一次重大的计算转型都需要基础设施的突破，智能体时代也不例外。基础设施必须不断发展，才能满足自主智能体在推理、规划、执行和学习的持续循环中运行的需求。”谷歌在博客中表示，TPU 8t和TPU 8i是谷歌应对这一挑战的答案。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】近几个月来，谷歌的TPU芯片在硅谷市场需求持续走高，成功从内部降本工具转型为核心营收引擎，拉动了其云业务增长，并正在撬动由&lt;span&gt;英伟达&lt;/span&gt;牢牢把持的&lt;span&gt;AI芯片&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;市场。谷歌希望凭借新一代产品延续这一发展势头。此前谷歌云内部高管透露，扩大TPU的市场采用率，有望帮助谷歌抢占英伟达年收入份额的10%。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;腾讯混元发布Hy3 preview语言模型&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月23日，腾讯混元发布Hy3 preview语言模型并将该模型开源。这是一个快慢思考融合的混合专家模型，总参数295B，激活参数21B，最大支持256K上下文长度。腾讯“CEO/总裁办公室”首席AI科学家姚顺雨表示，这是混元大模型重建的第一步，希望通过开源和发布获得来自开源社区和用户的真实反馈，帮助混元提升Hy3正式版的实用性。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】姚顺雨此前是OpenAI研究员，Hy3 preview是他加入腾讯后交出的第一份答卷，也是混元重建预训练和强化学习基础设施后拿出的第一份答卷。从定位看，Hy3 preview主推Agent能力、上下文学习能力、复杂推理能力和代码能力。从基准测试得分看，该模型的能力仍与Gemini-3.1-Pro、GPT-5.4 xhigh有差距，但在部分基准测试中得分接近或高于国内的大模型Kimi-K2.5和GLM-5。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;&lt;span&gt;寒武纪&lt;/span&gt;4月市值涨超千亿&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月初至4月24日，&lt;span&gt;寒武纪&lt;/span&gt;股价累计上涨37.59%，市值涨超1200亿元。4月24日，DeepSeek-V4发布后，寒武纪就宣布与该模型完成了Day 0适配。在4月22日的业绩说明会中，寒武纪还回答了今年是否有机会实现百亿营收的问题，称“在大模型技术加速革新的行业背景下，智能计算需求持续攀升，公司凭借智能芯片领域的核心产品竞争优势与优质服务，赢得行业客户的认可及良好市场口碑。”&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】近日市场上有关于DeepSeek与寒武纪等国内&lt;span&gt;AI芯片&lt;/span&gt;厂商密切合作的传言，寒武纪在业绩发布会上并未作出正面回应。不过，此次快速适配DeepSeek新模型后，该公司有望承接新的算力需求。至于今年寒武纪的业务发展情况，投资者可能还要在月底寒武纪发布的第一季度财报中寻找答案。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;&lt;span&gt;新易盛&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;第一季度净利润环比下降&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月23日晚间，光模块公司&lt;span&gt;新易盛&lt;/span&gt;发布2025年年报和今年第一季度财报。2025年，&lt;span&gt;新易盛&lt;/span&gt;营收248.42亿元，同比增长187.29%，净利润为95.32亿元，同比大增235.89%。今年第一季度，新易盛营收83.38亿元，同比增长105.76%，净利润27.8亿元，同比增长76.8%。不过，今年第一季度，新易盛净利润环比下降了13.3%。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】4月22日收盘，新易盛股价刚创&lt;span&gt;历史新高&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;，市值站上6000亿元。4月24日收盘，新易盛市值则为5341亿元。新易盛第一季度营收同比大幅增长的同时，营业成本也增加了103.75%，财务费用则达到5.22亿元，同比增加了1678.27%。财务费用增长主要是因为汇兑损失增加。包括新易盛在内的光模块厂商还在增加产能并增加原材料储备。第一季度末，新易盛的预付款项达到6.82亿元，同比大增39倍，主要是因为原材料预付款项增加。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;&lt;span&gt;中际旭创&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;市值突破万亿&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　4月23日开盘，光模块概念股&lt;span&gt;中际旭创&lt;/span&gt;涨超2％，股价站上909元/股，市值突破1万亿元。4月23日盘中，盘中A股流通市值超过1万亿元的上市公司共八家，包括&lt;span&gt;农业银行&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;工商银行&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;宁德时代&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;中国石油&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;贵州茅台&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;中国银行&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;工业富联&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;和&lt;span&gt;中际旭创&lt;/span&gt;，中际旭创流通市值排行第八。4月24日收盘，中际旭创市值回到1万亿元以下，为9878亿元。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】中际旭创近期针对今年的市场需求释放乐观态度。在投资者关系活动中，中际旭创表示，整体行业需求非常强劲，延续了去年的高景气度。第一季度中际旭创净利润还同比增长262.28%。不过，在光模块市场需求增加的情况下，原材料供应紧张的问题给光模块公司带来了挑战，行业价格下降也给光模块公司造成压力。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;strong&gt;&lt;span&gt;台积电&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;预告2029年量产A12和A13制程&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　&lt;span&gt;台积电&lt;/span&gt;在当地时间4月22日举办的2026年北美技术论坛上透露了旗下A13（等效1.3nm）和A12（等效1.2nm）等不同制程产品的量产时间表。此次&lt;span&gt;台积电&lt;/span&gt;推出了新一代A13制程，该制程计划2029年投产，面向下一代AI、HPC（高性能计算）需求。台积电表示，A13相比A14可节省6%的面积，设计规则与A14相容。台积电还预告了A12制程，该制程预计2029年进入生产。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　【&lt;strong&gt;点评&lt;/strong&gt;】为了支撑先进制程产品生产，台积电正在执行一项全球产能扩张计划。台积电近日预计，今年的资本支出将处于此前指引的上端，即接近560亿美元。不过，从生产设备看，台积电高管近日透露，目前还不需要用到单价超过3.5亿欧元的&lt;span&gt;阿斯麦&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;最新高数值孔径极紫外光刻机(High-NA EUV)。这意味着，台积电在先进制程生产中也在尽量节省成本。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-align:center;&quot;&gt;&lt;img src=&quot;https://np-newspic.dfcfw.com/download/D25488590138155037791_w690h389.jpg&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;（文章来源：第一财经）&lt;/p&gt;</description><pubDate>Sun, 26 Apr 2026 12:42:12 +0800</pubDate></item><item><title>固态变压器（SST）在AIDC动态负载下的电压稳定性与谐波注入抑制</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1205.html</link><description>&lt;p&gt; 基于SiC模块构建的固态变压器（SST）在&lt;u&gt;AI&lt;/u&gt;&lt;u&gt;DC&lt;/u&gt;动态负载下的电压稳定性与谐波注入抑制研究&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 引言&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 随着&lt;u&gt;人工智能&lt;/u&gt;（AI）大规模语言模型（LLM）与&lt;u&gt;深度学习&lt;/u&gt;架构的迅猛演进，人工智能数据&lt;u&gt;中心&lt;/u&gt;（AIDC）的底层电力需求正经历从传统的千瓦级机架向百千瓦乃至兆瓦级机架的剧烈扩张。在这一技术演进过程中，高性能图形&lt;u&gt;处理器&lt;/u&gt;（&lt;u&gt;GPU&lt;/u&gt;）集群在执行大规模同步训练任务时，呈现出区别于传统&lt;u&gt;云计算&lt;/u&gt;负载的极端动态特性。这种由于计算密集型阶段与&lt;u&gt;通信&lt;/u&gt;密集型阶段周期性交替所引发的毫秒级大斜率功率阶跃，不仅严重威胁了数据中心内部关键信息技术（IT）设备的供电连续性，更在宏观层面上对上游公用电网的电压稳定性与电能质量构成了系统性挑战。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;img src=&quot;https://file1.elecfans.com/web3/M00/56/EE/wKgZO2nsFk-AeKMmAF-CQ4zIvPk015.png&quot; alt=&quot;wKgZO2nsFk-AeKMmAF-CQ4zIvPk015.png&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 为应对这种高频次、大振幅的动态负载（Dynamic Lo&lt;u&gt;ad&lt;/u&gt;），传统的工频变压器配合低频不间断&lt;u&gt;电源&lt;/u&gt;（UPS）的架构已暴露出响应迟缓、体积庞大以及能量双向流动能力缺失等根本性缺陷。基于碳化硅（SiC）宽禁带&lt;u&gt;半导体&lt;/u&gt;&lt;u&gt;功率模块&lt;/u&gt;构建的固态变压器（Solid-State Transformer, SST）凭借其高频隔离、高功率密度以及多&lt;u&gt;端口&lt;/u&gt;有源控制能力，正成为下一代AIDC 800V直流（800VDC）配电网络的核心枢纽。然而，SiC &lt;u&gt;MOSFET&lt;/u&gt;器件在提供数十甚至数百千赫兹（kHz）超高开关频率以实现无源磁性元件微型化的同时，也引入了显著的寄生&lt;u&gt;电容&lt;/u&gt;谐振、严峻的开关死区效应恶化以及由于极高电压变化率（dv/dt）与&lt;u&gt;电流&lt;/u&gt;变化率（di/dt）引发的高频谐波注入问题。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 针对上述多维度的电能质量与系统稳定性问题，必须从器件级硬件特性、驱动级瞬态保护、&lt;u&gt;算法&lt;/u&gt;级死区补偿以及系统级有源阻尼与模型预测控制等多个层级开展深度剖析。本研究深入分析了AIDC动态负载的&lt;u&gt;电气&lt;/u&gt;动力学本质，结合IEEE 519-2022等最新国际电能质量标准，系统性地论述了以SiC模块为核心的SST在极端动态工况下实现电压稳定性保障与高频谐波注入抑制的跨层级前沿技术体系。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; AIDC动态负载特性与电能质量系统性挑战&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; GPU集群同步训练的功率瞬态动力学&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在传统的企业级数据中心中，服务器的工作负载通常表现为大量不相关任务的随机叠加，其整体功率需求在统计学意义上具有平滑特征，时间尺度多以秒或分钟计。然而，现代AIDC中部署的大规模GPU集群（如基于NVIDIA架构的张量核心处理单元）在执行大语言模型训练时，表现出高度的结构化与同步化特征。这类工作负载通常被划分为严格的迭代周期，每个周期内包含全速运行的计算密集型（Compu&lt;u&gt;te&lt;/u&gt;-heavy）阶段与跨节点数据交换的通信密集型（Communication-heavy）阶段。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 相关研究机构的测量数据表明，在计算阶段，数万个GPU同步进入高负荷状态，单机架的功率消耗可在数毫秒内从30%的空闲水平跃升至100%的峰值载荷；随后在进入通信阶段时，功耗又会以极高的电流下降率骤降。这种剧烈的功率振荡（Power Swings）在整个数据大厅内聚合并通过配电网络反向传导时，会在交流电网侧形成数十乃至上百兆瓦的宽频带功率脉动。更为严峻的是，电磁暂态（EMT）建模分析指出，如果这种周期性功率波动的频谱分量与电网中关键基础设施（如大型汽轮发&lt;u&gt;电机&lt;/u&gt;的轴系扭振频率或长距离输电线的自然谐振频率）发生重合，将诱发极具破坏性的机电谐振现象，进而严重危及电网的物理安全与宏观频率稳定性。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 动态电压暂降与I&lt;u&gt;TI&lt;/u&gt;C容受曲线约束&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 极端功率瞬变通过上游中压变压器、配电开关装置以及输电线路的阻抗网络时，必然会导致公共连接点（PCC）及下游各级母线产生毫秒级的动态电压暂降（Voltage Sags）与电压突升（Voltage Swells）。对于IT设备而言，供电电压的容受能力通常受信息技术产业理事会（ITIC，前身为CBEMA）曲线的严格约束。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; ITIC曲线明确划定了服务器&lt;u&gt;电源模块&lt;/u&gt;（PSU）能够耐受的电压偏差与时间阈值。例如，即便是一个幅度仅为标称电压10%、持续时间在3至10个交流周波（约50至160毫秒）的电压暂降，也可能越过ITIC曲线的无损运行边界，触发计算节点的欠压保护锁定，导致规模化的训练任务中断与数据损毁。由于AIDC动态负载的斜率极高，传统的&lt;u&gt;机械&lt;/u&gt;式电压调节器及常规后备发电机组（受限于转子惯量）根本无法在数十毫秒内响应如此迅猛的功率缺口，这迫切需要具有超高控制带宽的固变SST技术介入，在电能传输的咽喉路径上实施亚周期级的电压平抑。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; IEEE 519-2022谐波注入与电能质量标准解析&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 固变SST中的高频开关变换器在进行&lt;u&gt;AC&lt;/u&gt;/DC或DC/AC功率转换时，PWM调制过程本身及其非线性特性会向电网注入大量电流谐波，导致PCC点的电压波形畸变。为了规范包含&lt;u&gt;逆变器&lt;/u&gt;资源的分布式负载与电网的&lt;u&gt;接口&lt;/u&gt;行为，学术界与工业界广泛采用更新版 IEEE 519-2022 及 IEC 61000-4-30 Class A 标准体系对谐波限值进行量化评估。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 根据 IEEE 519-2022 标准，电压与电流的谐波畸变评估采用了更为严密的统计学评估技术。在测试方法上，标准全面引入了基于 IEC 61000-4-7 的测量间隔：分别计算聚合了15个连续12周波（60Hz系统）窗口的3秒“极短时间（Very Short Time）”谐波值，以及聚合200个极短时间值的10分钟“短时间（Short Time）”谐波值。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 下表展示了针对不同电压等级PCC点的电压总谐波畸变率（THDU）绝对限值。必须指出，这一限值要求是配电网背景畸变与AIDC负载自身畸变叠加后的总体结果，不得逾越。&lt;/p&gt; 
&lt;table style=&quot;background-color:rgb(255,255,255);border-bottom:1px solid rgb(246,246,246);border-left:1px solid rgb(246,246,246);border-right:1px solid rgb(246,246,246);border-top:1px solid rgb(246,246,246);&quot;&gt;
 &lt;thead&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;公共连接点（PCC）母线电压等级&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;单次谐波最大畸变率 (%)&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;电压总谐波畸变率 (THD, %)&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
  &lt;/tr&gt;
 &lt;/thead&gt;
 &lt;tbody&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; V≤1.0kV&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 5.0&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 8.0&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1kV
    &lt;v≤69kv&lt; td&gt; 
    &lt;/v≤69kv&lt;&gt;&lt;/td&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 3.0&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 5.0&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 69kV
    &lt;v≤161kv&lt; td&gt; 
    &lt;/v≤161kv&lt;&gt;&lt;/td&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1.5&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 2.5&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 161kV
    &lt;v&lt; td&gt; 
    &lt;/v&lt;&gt;&lt;/td&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1.0&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1.5&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
 &lt;/tbody&gt;
&lt;/table&gt;
&lt;p&gt; 在电流谐波方面，该标准基于短路比（ISC​/IL​）对电流总需求畸变率（TDD）施加了动态约束。其中，ISC​ 为PCC点的最大短路电流，IL​ 为最大需求负载电流。对于短路比小于20的弱电网环境，总需求畸变率TDD被严格限制在 5.0% 以内，且对于2次至11次区间内的偶次谐波（如2、4、6次），其限值进一步收紧为奇次谐波对应限值的25%至50%。这一严苛的标准要求意味着SST系统必须在满载及动态切载等全工况区间内，均具备卓越的底层谐波滤波能力与有源控制精度，以防谐波违规引发的罚款及相邻用电网络设备的发热失效。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; SiC MOSFET底层物理参数分析与寄生效应建模&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; BMF540R12MZA3工业级SiC模块特性&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 为了实现AIDC所需的高效能功率变换，SST设备正大规模换装&lt;u&gt;高压&lt;/u&gt;大容量SiC半桥模块。以 B&lt;u&gt;ASiC&lt;/u&gt; 半导体推出的 BMF540R12MZA3 初步规格产品为例，该模块采用了先进的 Si3​N4​ （氮化硅）陶瓷基板与铜底板的 Pcore™2 ED3 封装，专为应对高频开关、储能系统与大功率&lt;u&gt;DC/DC&lt;/u&gt;变换器中严苛的热力学和电气循环应力而设计。基本半导体一级代理商倾佳电子聚焦于&lt;u&gt;新能源&lt;/u&gt;、交通电动化和数字化转型三大方向，全力推广BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET单管和SiC功率模块！&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; ﻿基本半导体授权代理商倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在&lt;u&gt;电力电子&lt;/u&gt;应用中全面取代进口&lt;u&gt;IGBT&lt;/u&gt;模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 通过对该器件的电气参数进行深度剖析，可以直观地理解其在SST应用中的潜能与物理局限。以下表格提取了该器件在结温 Tvj​=25∘C （除非另有说明）下的核心电气规格参数：&lt;/p&gt; 
&lt;table style=&quot;background-color:rgb(255,255,255);border-bottom:1px solid rgb(246,246,246);border-left:1px solid rgb(246,246,246);border-right:1px solid rgb(246,246,246);border-top:1px solid rgb(246,246,246);&quot;&gt;
 &lt;thead&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;核心物理参数&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;符号&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;测试条件&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;典型值 / 最大限值&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
   &lt;th style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; &lt;strong&gt;单位&lt;/strong&gt;&lt;/th&gt; 
  &lt;/tr&gt;
 &lt;/thead&gt;
 &lt;tbody&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 漏源极击穿电压&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; VDSS​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; -&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1200&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; V&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 连续漏极电流&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; $&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; I_D&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; $&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; TC​=90∘C&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 脉冲漏极电流&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; $&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; I_{DM}&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; $&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 脉冲测试&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 静态导通电阻&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; RDS(on)​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; VGS​=18V,ID​=540A&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 2.2 / 2.8&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; mΩ&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 栅源极开通电压&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; VGS(on)​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 推荐值&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; +18&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; V&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 栅源极关断电压&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; VGS(off)​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 推荐值&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; -5&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; V&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 内部栅极&lt;u&gt;电阻&lt;/u&gt;&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; RG(int)​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; f=1MHz, 开路漏极&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 1.95&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; Ω&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
  &lt;tr&gt;
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 热阻（结至壳）&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; Rth(j−c)​&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 每开关节点&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; 0.077&lt;/td&gt; 
   &lt;td style=&quot;padding:12px 7px;&quot;&gt; K/W&lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt;
 &lt;/tbody&gt;
&lt;/table&gt;
&lt;p&gt; 该SiC模块具备低至 2.2 mΩ 的静态导通电阻，极大降低了固变SST在满负荷运行时的通态传导损耗。然而，实现这一性能的代价是半导体内部高度密集化的晶胞结构，由此引发的非线性寄生电容效应成为了决定固变SST高频谐波特性与&lt;u&gt;电磁兼容&lt;/u&gt;性（&lt;u&gt;EMC&lt;/u&gt;）的关键变量。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 寄生电容与高频开关振荡机制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在固变SST的换流过程中，SiC MOSFET的高速开关特性高度依赖于内部寄生电容的充放电动力学。测试数据表明，BMF540R12MZA3 在 VDS​=800V 偏置下的输入电容（Ciss​）高达 33.6 nF，输出电容（Coss​）为 1.26 nF，而反向传输电容（C&lt;u&gt;rs&lt;/u&gt;s​，即米勒电容）为 0.07 nF 。特别地，Coss​ 在800V关断状态下储藏的能量（Eoss​）达到 509 μJ 。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 当SST工作在高达数十千赫兹的高频硬开关状态时，高达 20 V/ns 至 50 V/ns 的极快漏源极电压变化率（dv/dt）会通过半桥拓扑中本管与对管的米勒电容 Crss​ 产生强大的瞬态位移电流（i=Crss​⋅dv/dt）。这一瞬态位移电流会在极短时间内流经栅极回路的寄生电感与内部栅极电阻 RG(int)​，导致关断状态下的栅极电压被非预期抬升。如果这一被抬升的电压尖峰超过了器件仅为 2.3V 左右的典型&lt;u&gt;阈值电压&lt;/u&gt;（VGS(th)​），将引发恶性串扰（C&lt;u&gt;ros&lt;/u&gt;stalk）以及灾难性的桥臂直通现象。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 此外，伴随极高 di/dt 开断大电流的瞬间，回路中的杂散电感（Stray Inductance, Lσ​）会与非线性输出电容 Coss​ 构成高频LC谐振回路，激发频率高达数十甚至上百兆赫兹（MHz）的寄生阻尼振荡（Parasitic Oscillation）。这种高频振荡不仅极大地增加了栅极氧化层的电应力，加速器件老化，更会以共模与差模干扰的形式通过变压器的级间&lt;u&gt;耦合&lt;/u&gt;电容渗透至交流电网，导致固变SST的背景谐波注入量严重超标。因此，解决SiC的超快开关特性与寄生电感之间的物理冲突，成为构建高性能固变SST的首要工程屏障。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 高级门极驱动优化与硬件级瞬态过电压抑制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 针对SiC模块的上述物理局限，固变SST系统必须在硬件驱动层配备具备强悍瞬态管控能力的专用门极&lt;u&gt;驱动器&lt;/u&gt;。以青铜剑技术（Bronze Technologies）开发的第二代ASIC即插即用驱动板 2CP0225Txx 系列为例，该驱动板专为1700V及以下的Econo Dual 3封装SiC模块（涵盖如1200V级别的应用）研发，内部集成了诸多旨在平抑动态瞬态与电磁辐射的高级隔离控制算法。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 米勒钳位（Miller Clamping）以消除串扰直通&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 为了根除上述由极高 dv/dt 引发的米勒耦合误导通，2CP0225Txx 驱动器在各通道的副边集成了基于栅极电压直接闭环检测的有源米勒钳位电路。在固变SST变流器的半桥臂中，当上管SiC MOSFET快速开通时，下管栅极极易受到位移电流的冲击而产生电压上冲。此时，驱动器内部的迟滞&lt;u&gt;比较器&lt;/u&gt;持续监控栅极电压，当其经分压网络检测低于内部安全导通阈值（例如 3.8V）时，控制逻辑将立即导通内置的低阻抗钳位MOSFET（具备 20A 的瞬态峰值吸收能力）。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 该钳位动作将SiC器件的栅极直接强行钳位至副边电源的负压轨（如 -4V 或 COM 地电位），从而形成一条极低阻抗的关断泄放旁路。这有效排干了侵入的米勒耦合电荷，将栅极死死锁定在关断区域，从底层物理链路上阻断了误开通导致的开关尖峰和谐波发射。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 变栅极阻抗与高级有源钳位（Advanced Active Clamping）&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在AIDC计算节点发生大规模功率阶跃或负载短路的极端工况下，固变SST需要以极短的响应时间切断高达数千安培的故障电流。根据楞次定律，此时剧烈的电流突降（极大 di/dt）会在功率主回路的母线寄生电感上激发出足以击穿SiC模块耐压极限的过电压尖峰。为抑制这一现象，除了在布局上极致降低回路电感外，驱动级必须施加高级有源钳位。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 2CP0225Txx 驱动器在主拓扑中跨接于SiC MOSFET的漏极（Drain）与栅极（Gate）之间，嵌入了高压瞬态抑制&lt;u&gt;二极管&lt;/u&gt;（&lt;u&gt;TVS&lt;/u&gt;）反馈网络。针对 1200V 的SiC应用（如型号 2CP0225T12xx），其TVS串的击穿阈值被精密设定为 1020V（@1mA 漏电流）。当关断瞬间产生的 VDS​ 过电压尖峰逼近并越过 1020V 时，TVS网络迅速发生雪崩击穿，高压侧的瞬态电荷直接灌入驱动器的栅极节点。这一反馈机制使栅极电位短暂抬升，迫使SiC MOSFET从完全截止状态退行至线性微导通区间。这相当于在电气回路中临时引入了一个自适应的动态耗散电阻，通过放缓实质性的 di/dt 速率，将过电压尖峰完美“削顶”，避免了器件的雪崩击穿，同时也显著降低了剧烈的高频振铃谐波。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 智能两级软关断（Soft Shutdown）机制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在应对短路故障（Short-Circuit Protection）时，硬关断策略同样是激发严重高频谐波和设备失效的元凶。驱动器通过监测 VDS​ 的退饱和现象（Desaturation），将短路模式精准识别为 I类（桥臂直通型） 或 II类（相间回路短路型）。一旦检测到退饱和电压 VDSDT​ 超出内部保护阈值 &lt;u&gt;VR&lt;/u&gt;EF​（如 9.7V），系统并非直接将门极下拉至低电平，而是激活软关断逻辑。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在软关断期间，驱动副边ASIC内部生成的参考电压 VREF_S&lt;u&gt;SD&lt;/u&gt;​ 将以预定义的缓和斜率逐渐衰减。由于存在迟滞比较器，SiC MOSFET的实际栅极电压被强制精准跟随该参考斜率，实现受控的缓慢放电。整个软关断过程被平滑拉长至约 2.0 μs 左右。通过这 2.0μs 的缓冲，短路能量在硅片内部被可控释放，极大地降低了电磁干扰强度，有效规避了在动态负载故障恢复期间对配电网造成的二次脉冲谐波冲击。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 死区效应的高频非线性模型与补偿算法&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在基于SiC器件构建的固变SST中，为了防止逆变或&lt;u&gt;整流桥&lt;/u&gt;臂上下管发生灾难性的直通短路，必须在PWM控制时序中人为插入一段上下管均处于关断状态的安全裕量，即死区时间（Dead Time）。例如，在配置半桥模式时，2CP0225Txx 驱动器的硬件内部就默认固化了 3 μs 的死区时间。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 高频环境下的死区畸变恶化机理&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 虽然 3 μs 的死区时间在传统IGBT采用的低频（如 5kHz 乃至更低）应用中对总体波形的影响有限，但SST采用SiC技术的核心目的在于将载波开关频率（fc​）推高至 20kHz 甚至 100kHz 以上。当开关频率大幅度提升时，死区时间在单个开关周期（Ts​）内占据的相对比例急剧增加，其累积的非线性误差成为低次电压/电流谐波畸变的决定性因素。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 理论分析表明，死区时间导致的输出电压基波跌落及误差电压（Δu）可以通过如下近似数学模型描述：&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; ∣Δu∣=fc​⋅Td​⋅Udc​&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 其中，fc​ 为开关频率，Td​ 为包含人为插入死区以及器件自身开通/关断时间差的总有效死区时间，Udc​ 为固变SST内部高压直流母线电压。根据上述公式，在 100kHz 开关频率下，误差电压以线性倍率被放大，导致三相输出电压与电流中涌现大量的低频谐波分量。由于死区干扰属于周期性梯形脉冲序列，经过傅里叶级数展开，这些畸变能量主要集中在基波频率的（6k±1）次频段，在三相静止坐标系下尤以5次和7次谐波最为严重；映射到同步旋转d-q坐标系中，则表现为d轴与q轴电流上持久的6次谐波脉动。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 更为复杂的是，当AIDC处于负荷空闲或轻载状态时，低电流工况下SiC器件结电容的充放电变得异常缓慢，死区时间内的电流可能无法顺利续流而发生极性翻转，触发严重的“电流过零点钳位（Zero-Current-Clamping）”现象，造成严重的波形平顶与系统稳定性隐患。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 传播延迟抖动与多维脉冲测试建模&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在硬件层面，除了设定额定的死区时间，&lt;u&gt;信号&lt;/u&gt;在传输路径上的传播延迟及其抖动（Propagation Delay Jitter）进一步加深了时序的非确定性。数据手册显示，SiC&lt;u&gt;驱动电路&lt;/u&gt;典型的开通与关断延迟为 200 ns，而伴随的抖动量则达到 ±8 ns，加之死区时间自身的抖动控制在 ±10 ns 。尽管绝对数值极小，但在纳秒级精细化的高频控制中，这种不对称的抖动足以破坏PWM脉冲的伏秒对称性，产生极难滤除的非特征次谐波杂音。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 为了精准抵消上述复杂的死区非线性，前沿的固变SST控制算法摒弃了简单的固定脉宽补偿，转而采用依赖于负载电流方向与幅值的动态补偿策略。通过实施多脉冲测试（Multipulse Test, MPT），系统在离线或在线状态下精细捕捉SiC MOSFET在宽泛电流范围内（如 0至80A）真实的开通时间、关断时间及体二极管续流压降，进而构建&lt;u&gt;高精度&lt;/u&gt;的二维查找表（2D Lookup Table）。在运行中，&lt;u&gt;微控制器&lt;/u&gt;（&lt;u&gt;MCU&lt;/u&gt;）基于瞬态相电流和直流母线电压，通过双线性插值实时调用补偿量，大幅提升了对死区非线性的模型拟合精度。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 伏秒平衡理论与重复控制抑制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在软件控制实现上，为彻底压制因死区引发的 THD 恶化，&lt;u&gt;控制系统&lt;/u&gt;主要融合了伏秒平衡前馈（Volt-Second Balancing）与重复控制反馈（Repetitive Control）两种高级策略：&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;strong&gt;伏秒平衡补偿技术&lt;/strong&gt;：该方法立足于对每个PWM周期的平均电压实施精准管控。通过高速在线状态监测模块，实时捕获由非理想特性（包括驱动延迟、管压降及电容充放电时间）导致的输出脉宽误差，并通过微&lt;u&gt;控制器&lt;/u&gt;算法重新调配占空比，使得实际输出畸变电压在一个开关周期内的伏秒积分面积严格等于理想参考电压的积分面积。这一前馈补偿策略优势在于，由于直接控制平均电压平衡，它在极大程度上解耦了对极其敏感的电流过零点检测的依赖，避免了因极性噪声误判导致的波形二次畸变。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;strong&gt;相位超前重复控制器（RC）&lt;/strong&gt; ：由于死区效应导致的谐波畸变具有强烈的周期重复特征，&lt;u&gt;控制工程&lt;/u&gt;中常引入基于内模原理的重复控制器作为并联插件。传统的比例-积分（&lt;u&gt;PI&lt;/u&gt;）或比例-谐振（PR）控制器难以在一个控制周期内对全频带误差进行无静差跟踪。而通过在同步参考系中构建包含延迟环节（e−T0​s）的RC网络，能够逐个周期累积并抵消周期性扰动电压。为防止RC控制器在高频区域引起相位滞后与失稳，实际应用中会在RC环路内引入低通&lt;u&gt;滤波器&lt;/u&gt; Q(s) 和精密的超前相位补偿，确保即使在极短的控制延时下，死区引起的低频及高频次谐波也能被“清洗”至符合 IEEE 519-2022 的限值要求。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 虚拟阻抗有源阻尼与系统级谐波抑制架构&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在固变SST与AIDC交流母线互联的端口，为了最大限度地阻挡数十千赫兹的开关高频谐波注入电网，并在设备体积与滤波性能之间取得平衡，系统普遍采用三阶 LCL 拓扑作为滤波器方案。相比于单极性的 L 滤波器，LCL 滤波器在较高频率段提供了 -60 dB/dec 的卓越衰减斜率。然而，作为高阶无源储能网络，LCL 滤波器在固有的谐振频率点（fres​）呈现出尖锐的零极点增益峰值。在电网阻抗存在波动（尤其是弱电网环境）或AIDC动态负载突变激发宽频扰动时，这一谐振尖峰极易被激发，导致强烈的谐振电流放大，甚至致使整个闭环系统发生振荡失稳崩溃。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 虚拟电阻有源阻尼（Active Damping）的数理机制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 若采用并联物理电阻的“无源阻尼（Passive Damping）”方案，虽能抑制谐振，但会在大功率连续运行下产生惊人的热损耗并大幅削弱固变SST的转换效率。因此，以纯控制算法构建等效物理电阻行为的“有源阻尼（Active Damping）”技术成为了破局关键。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 有源阻尼的核心是通过状态变量反馈，在控制方程中人工构造出一个“虚拟阻抗（Virtual Imp&lt;u&gt;eda&lt;/u&gt;nce）”。相比于需要高阶差分运算、极易引入高频噪声的电容电压有源阻尼（CVAD）方案，基于 &lt;strong&gt;电容电流比例反馈（Capacitor-Current Active Damping, CCAD）&lt;/strong&gt; 的技术因其简单、可靠而备受青睐。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在CCAD控制框图中，LCL滤波器的滤波电容电流被独立采样，乘以反馈增益 Kad​ 后直接从控制器的占空比输出中相减。在连续时间域中，这相当于在滤波电容支路并联了一个数值为 L1​/(Kad​⋅Kpwm​⋅Cf​) 的虚拟电阻，从而完美吸收了谐振点的高频能量。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 数字延迟与非最小相位边界的跨越&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 然而，现代固变SST控制系统均基于数字微信号处理器（&lt;u&gt;DSP&lt;/u&gt;）运行。A/D采样保持时间、控制算法计算耗时以及PWM调制延时（通常约为 1.5 倍采样周期 1.5Ts​）共同构成了一个难以消除的系统相角滞后网络。理论分析指出，当LCL滤波器的固有谐振频率超过采样频率的六分之一（即 fres​&amp;gt;fs​/6）时，数字延迟产生的相位滞后将使得原本提供正阻尼的虚拟电阻转变为“负虚拟电阻（Negative Virtual Resistor）”。此时，反馈环路非但无法抑制谐振，反而会在特定频段提供能量激励，导致系统陷入非最小相位行为（Non-minimum Phase Behavior），系统根轨迹跨越虚轴右偏而陷入致命发散。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 为突破 fs​/6 频率边界的物理极限，前沿的控制律设计引入了 &lt;strong&gt;联合有源阻尼（Joint Active Damping）&lt;/strong&gt; 策略。该策略摒弃了单纯的电容电流反馈，转而采用“电网电流反馈 + 公共连接点（PCC）电压前馈”的复合双闭环控制结构。通过精心设计的控制器传递函数，在特定高频段引入动态相角补偿（例如 Tustin 离散化的一阶&lt;u&gt;高通&lt;/u&gt;网络与特定截止频率的数字低通滤波器串联组合），将数字延时带来的相位偏移强制拉回至第一象限，使得系统的有效正阻尼区域大幅拓宽，甚至能够逼近奈奎斯特极限频率（fs​/2），进而全面根除了非最小相位效应，确保SST在动态负载引发宽频冲击时坚如磐石。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 选频谐波补偿与自适应陷波（ANF）抑制&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 针对导致动态电压畸变的特定低次谐波（如由整流非线性设备或变频空调冷却系统产生的5、7、11、13次谐波），常规的全频段比例积分（PI）控制因无法在非直流（交流）量下实现无穷大增益而束手无策。传统的电网电压全前馈控制（Full Feed-forward）虽然数学模型理想，但涉及大量高阶离散化微分运算，实现难度极大。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 对此，固变SST的高效谐波管控转而部署多重非理想比例-谐振（Proportional-Resonant, PR）控制器阵列。通过在控制环路内部植入针对目标谐波频率的谐振算子：&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; GRC​(s)=∑s2+2ωc​s+(hω0​)22Kri​ωc​s​&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 控制器能够在精确的目标频率点（hω0​）提供急剧放大的开环增益。从闭环传递函数的角度看，这等同于在特定谐波频率下向电网呈现“无穷大”的虚拟阻抗，从而像一堵无形的墙一样阻止了任何对应频率的畸变电流反向流入电网，实现了高精度的选频谐波消除（Selective Harmonic Control）。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 另外，对于由极小杂散电感引发的宽泛且漂移的高频寄生谐振，可自适应跟踪频率变化的自适应陷波器（Adaptive Notch Filter, ANF）被部署于反馈通道中。ANF算法利用最小均方（LMS）等自适应算法不断监测电流信号的频谱，自动在反馈路径上合成出与游荡谐振峰严格对称的“反谐振波谷”，精准抵消高频振铃，极大地优化了控制系统的动态稳定性与抗扰动带宽。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 应对GPU瞬态负载的系统级协同控制与能量管理&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 当从底层器件的局部硬件行为上升到整个AIDC数据中心的宏观能量枢纽管理时，为避免在极端的“计算-通信”负载切换期间发生破坏性的配电网络电压暂降（Voltage Sag），固变SST不仅必须依赖底层伺服，还需要结合宏观的高级现代控制算法、储能协调机制与负荷端的双向交互系统构建起多时间尺度的安全防御网络。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;img src=&quot;https://file1.elecfans.com/web3/M00/56/EF/wKgZPGnsFleAaj6AAFqHzLz7Spo416.png&quot; alt=&quot;wKgZPGnsFleAaj6AAFqHzLz7Spo416.png&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 有限控制集模型预测控制（FCS-MPC）&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在固变SST的多级AC/DC与DC/AC变换级，传统的基于载波的PWM与线性双闭环控制模式由于内部积分器的惯性，不可避免地面临带宽瓶颈，难以快速追踪几毫秒内发生的高斜率电流跳变。模型预测控制（Model Predictive Control, MPC）通过其内在的前瞻性机制和离散时间域优化，为超快动态响应提供了理论支撑。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 特别是在&lt;strong&gt;有限控制集模型预测控制（FCS-MPC）&lt;/strong&gt; 中，控制器不再依赖传统的连续调制器，而是直接将SiC 固变SST变换器有限的离散开关状态（如桥臂的多种通断组合）作为评估域。在每一个极短的微秒级控制步长中，DSP基于当前的电压与电流状态建立系统离散模型，预演所有可能的开关组合在下一时刻将产生的轨迹响应。随后，系统在目标代价函数（Cost Function）的引导下寻找最优解。该代价函数不仅追踪电流与电压的参考误差：&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; J=λ1​(iα∗​−iαp​)2+λ2​(iβ∗​−iβp​)2+λ3​f(x)&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 还可将开关频率惩罚、无功功率支持要求、以及电压轨迹灵敏度（Trajectory Sensitivity）融入权重因子（λi​）中。借助这种不含迟滞积分环节的直接全局寻优机制，FCS-MPC能在GPU集群突然汲取全功率电流时，直接选中导致响应最快的电压矢量（Voltage Vector），将动态暂态调节时间压缩到理论极限，有力保障了瞬态大载荷切入时系统侧公共连接点电压的“纹丝不动”。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 多时间尺度能量存储与800VDC架构演进&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 除了算法的前馈拦截，从物理法则出发，保障瞬态电压最根本的前提是在固变SST的内部具备足够的能量缓冲池，以打破交流电网供电能力与AIDC负载瞬动之间的强耦合。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在基于NVIDIA Kyber机架及相关先进配电理念建立的新一代 800VDC SST配电架构中，能量的传输与存储迎来了范式转变。相较于传统交流配电冗长的多级降压整流网络，原生800VDC母线可将同等线径的承载功率提升157%，同时直接消灭了不必要的转换损耗。更重要的是，直流架构允许将储能系统无缝、低阻抗地植入固变SST的各个节点，建立起针对性的&lt;strong&gt;多时间尺度能量缓冲机制（Multi-Timescale Energy Storage）&lt;/strong&gt; ：&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;strong&gt;极短时间缓冲（毫秒至数秒级）&lt;/strong&gt; ：固变SST在临近负载的整流直流侧或分布式机架前端，密集部署低寄生电感（ESL）、极低等效串联电阻（ESR）的&lt;u&gt;超级电容器&lt;/u&gt;阵列（如商用的C-Link系统）。当负载从空闲陡增至100%时，电网级发电机尚未来得及调速，超级电容瞬间放电接管最初数十毫秒内的超额大功率需求，作为物理级“低通滤波器”抚平高频尖峰；当负载跌落时，则迅速吸收逆变回馈或盈余电能。这使得电网及上游变压器只看到了经过平滑后极其舒缓的平均负载曲线（Load &lt;u&gt;Ram&lt;/u&gt;p），彻底杜绝了电网侧的频率偏移与机电振荡风险。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; &lt;strong&gt;长时间支撑（数秒至分钟级）&lt;/strong&gt; ：在公用配电互联处，配置兆瓦级电池储能系统（BESS），专门负责宏观调度时长的慢速功率转移和备用发电机（柴油组）冷启动前的功率过渡跨越（Ride-through），从而构建起覆盖全时间频段的坚韧能源后盾。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 算网协同：动态电压频率调节（DVFS）系统闭环&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 保障极端负载下的电能质量不应仅是配电网单方面的被动承受，而需向“源-网-荷”协同的系统级联合交互演化。固变SST具备强大的数字化通讯能力，其通过状态监测通道持续上报PCC节点的实时电压稳定裕度（Voltage Stability Margin）、电流谐波率与热负荷阈值。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 依据最新的微软与NVIDIA等学术研究指引，数据中心后台的算力调度系统在接收到配电网的告警指令后，将直接下发控制指令介入IT层面的微观功耗干预。利用&lt;strong&gt;动态电压与频率调节（DVFS）&lt;/strong&gt; 技术，算力控制平面能够基于毫秒级的分辨率，临时约束并动态降低底层GPU张量核心的工作&lt;u&gt;时钟&lt;/u&gt;频率（例如在210 MHz至1410 MHz之间进行弹性调度）并微降其供电电压。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 虽然这一策略在微观上牺牲了极微小的局部模型训练迭代耗时，但通过削峰填谷（Fill the valleys, back off on the peaks），它强制遏制了因多个机架巧合性同步所造成的功率尖峰堆叠，从物理源头上扼杀了超出固变SST调控上限与超级电容承载能力的毁灭性功率浪涌。这种计算任务与能源供给的跨域闭环协同管理，真正实现了从“被动响应故障”到“主动整形负荷”的技术飞跃。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 结论&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在生成式AI及高密度GPU计算集群引爆的大算力时代，AIDC面临着极富挑战性的剧烈动态负载特征。毫秒级的计算-通信负载突变在电网中催生了严重的系统级低频功率振荡与破坏性动态电压暂降，为传统供电设施敲响了警钟。本文通过翔实的跨学科深度分析证明，依托基于高频SiC模块构建的固态变压器（SST）及其全要素的数字与硬件控制架构，是攻克上述电能质量挑战的必由之路。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 在底层的物理与硬件驱动层，凭借高度集成的有源米勒钳位、高级TVS过压钳位反馈以及精密的延时软关断技术，固变SST系统有效地钳制了SiC极高 dv/dt 带来的寄生电容振铃效应，阻断了高频宽带谐波的发射源；在调制控制策略层，通过引入非线性多脉冲死区时间模型、实施高精度的伏秒平衡重构与重复控制算法，完美肃清了由超高开关频率死区放大导致的低次波形畸变与过零点异常；在交流并网接入层，创新性的虚拟阻抗与跨频带相角补偿的联合有源阻尼机制，有效驯服了高阶LCL滤波网络的固有寄生谐振，保证了系统在恶劣弱电网阻抗下的绝对稳定。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt; 最终，通过整合有限控制集模型预测控制（FCS-MPC）以斩获物理极限的电压跟踪带宽、部署全栈多时间尺度的直流水库（超级电容配合BESS），以及史无前例地贯通了固变SST电网数据与GPU算力的动态电压频率调节（DVFS）负荷整形交互，这套自下而上的多维防御体系不仅严防死守了IEEE 519-2022标准的苛刻谐波限值，也彻底保障了动态电压始终稳若磐石地运行在ITIC安全包络线之内。展望未来，伴随着800VDC交直流混联配电架构的广泛部署，这种以先进电力电子控制为中枢、高度软件定义化的SiC-SST解决方案，必将成为支撑下一代千兆瓦级人工智能基础设施稳健发展与电网友好共生的终极能源底座。&lt;/p&gt;&lt;p&gt;&lt;/p&gt;&lt;p&gt; 审核编辑 黄宇&lt;/p&gt;</description><pubDate>Sun, 26 Apr 2026 11:41:57 +0800</pubDate></item><item><title>外资企业“组团”走进浙江：愿当创新发展“合伙人”</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1204.html</link><description>&lt;p&gt;　　中新网杭州4月24日电(奚金燕)4月24日，2026“投资浙里”外国企业浙江行合作对接交流会在杭州举行。本次活动以“浙里机遇 全球共享”为主题，邀请来自德国、英国、法国、意大利、西班牙、匈牙利、韩国、美国、加拿大等23个国家和地区的超200家外资企业和机构参会。&lt;/p&gt;  
&lt;img style=&quot;display: block; margin: auto; cursor: pointer;&quot; src=&quot;https://i2.chinanews.com.cn/simg/ypt/2026/260424/8d0fa689-aa2f-4e94-ba24-adbb4f906bb4_zsite.jpg&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;   2026“投资浙里”外国企业浙江行合作对接交流会现场。奚金燕 摄  
&lt;p&gt;　　当前，国际形势深刻演变，不确定性显著上升，而中国始终保持稳定发展态势，成为全球经济复苏的“压舱石”和投资兴业的“避风港”。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　浙江作为中国经济大省，今年一季度地区生产总值23684亿元，按不变价格计算，同比增长6.0%，其中数字经济核心产业制造业、高技术制造业和装备制造业增加值分别同比增长15.4%、15.4%、12.7%，创新发展势头强劲。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　据悉，此次来访浙江的外企代表团有世界500强企业44家、行业领军企业65家、隐形冠军企业21家，合计占比超过60%；参会外籍嘉宾中，CEO、副总裁、中国区负责人等管理人员逾百位。从国别覆盖广度到参会企业层级，体现了国际工商界对浙江市场的高度关注。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　交流会现场，中外企业家围绕投资合作展开深度对接。英中贸易协会主席吴思田，英飞凌监事会主席赫伯特·迪斯，韩国JK集团董事长朱权等外宾代表聚焦中英合作、前沿科技与医疗健康等话题作了主题交流。此外，正泰集团、宇树科技、灵伴科技等浙江本土企业负责人聚焦智慧能源、具身职能等领域作了主题分享。本次交流会促成一批项目达成合作。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　吴思田表示，此次英中贸易协会组织了约50家英国企业来到浙江，这些企业包括金融、能源、环境、生命科学、医疗健康、教育等多个领域，他们期待在浙江找到新客户、新市场、新的合作伙伴。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　据悉，本次对接会由浙江省人民政府、中信集团主办。会前，外资企业代表团结合各自产业赛道与投资意向，分别赴杭州、宁波、湖州、金华等地开展商务考察与对接，实地感受浙江在数字经济、高端制造与商贸流通等领域的发展态势。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　在杭州，代表团聚焦数字经济与生物医药，深入钱塘医药港、未来科技城等创新高地，感受前沿赛道的澎湃活力；在宁波，代表团走进浙江自贸试验区宁波片区与极氪梅山智慧工厂，领略临港产业集群的硬核实力；在湖州，代表团走进三一装备、吉利长兴工厂等企业，实地感受高端智造、绿色发展、新能源等赛道的增长潜力；在金华，代表团考察了义乌全球数贸中心、新能源汽车零部件产业园等，深入了解工贸联动、产贸融合的市场优势。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　“中国是英飞凌在全球最重要也是最具活力的区域市场之一。”赫伯特·迪斯表示，作为工业半导体以及汽车驱动领域的企业，英飞凌深耕中国市场近三十载，未来希望能在绿色低碳转型等领域与中国企业协同合作，持续提升竞争力、推动技术创新。(完)&lt;/p&gt; 
&lt;table border=&quot;0&quot; cellspacing=&quot;0&quot; cellpadding=&quot;0&quot;&gt; 
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&lt;span&gt;【编辑:张令旗】 &lt;/span&gt;</description><pubDate>Sat, 25 Apr 2026 14:37:04 +0800</pubDate></item><item><title>新开普(300248):第六届董事会第二十二次会议决议公告的补充公告</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1203.html</link><description>原标题:新开普:关于第六届董事会第二十二次会议决议公告的补充公告 
&lt;br&gt; 
&lt;p&gt;&lt;img src=&quot;https://quote.cfi.cn/drawprice.aspx?style=middle&amp;amp;w=600&amp;amp;h=270&amp;amp;v=1&amp;amp;type=day&amp;amp;exdate=20260424&amp;amp;stockid=11918&amp;amp;stockcode=300248&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt;本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏。新开普电子股份有限公司（以下简称“公司”于2026年4月24日披露了《第六届董事会第二十二次会议决议公告》（公告编号：2026-004）。现对公告中的决议三《新开普电子股份有限公司2025年度财务决算报告》、决议五《新开普电子股份有限公司2025年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》事项进行补充披露。补充文件分别为《2025年度财务决算报告》《募集资金存放与使用情况鉴证报告》，供投资者查阅。本次补充公告不涉及对原公告内容的修改，亦不涉及对《2025年度财务决算报告》《募集资金存放与使用情况鉴证报告》的修改。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 公司对本次信息披露补充事宜给投资者造成的不便深表歉意，公司将进一步加强信息披露编制与复核工作，敬请广大投资者谅解。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 特此公告。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 新开普电子股份有限公司 
&lt;br&gt; 董事会 
&lt;br&gt; 二〇二六年四月二十四日 
&lt;br&gt;</description><pubDate>Sat, 25 Apr 2026 14:13:26 +0800</pubDate></item><item><title>超3300只个股飘绿！A股三大指数集体收跌，锂矿概念股大爆发</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1202.html</link><description>&lt;p&gt;　　24日，A股三大指数集体低开，全天震荡。截至收盘，沪指跌0.33%，深证成指跌0.69%，创业板指跌1.41%。&lt;/p&gt;  
&lt;img src=&quot;https://np-newspic.dfcfw.com/download/D25407388658190662040_w1080h1854.jpg&quot; style=&quot;&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;  
&lt;p&gt;　　盘面上，市场热点较为杂乱，全市场超3300只个股下跌。从板块来看，&lt;span&gt;锂矿概念&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;集体爆发，&lt;span&gt;盛新锂能&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;金圆股份&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;融捷股份&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;江特电机&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;西藏珠峰&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;涨停，&lt;span&gt;天齐锂业&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;触及涨停。芯片产业链震荡拉升，&lt;span&gt;综艺股份&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;2连板，&lt;span&gt;富瀚微&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;20cm涨停，&lt;span&gt;华虹公司&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;杰华特&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;涨超10%。化工板块表现活跃，&lt;span&gt;广信股份&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;江南高纤&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;天禾股份&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;三房巷&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;涨停。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　下跌方面，&lt;span&gt;商业航天&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;概念持续调整，&lt;span&gt;西部材料&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;跌停，&lt;span&gt;久之洋&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;中衡设计&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;广联航空&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;通宇通讯&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;上海港湾&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;等多股跌幅靠前。算力硬件方向走弱，&lt;span&gt;新易盛&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;天孚通信&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;、&lt;span&gt;剑桥科技&lt;/span&gt;&lt;span&gt;&lt;/span&gt;纷纷下挫。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　来源：财联社、公开信息&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;（文章来源：华夏时报）&lt;/p&gt;</description><pubDate>Sat, 25 Apr 2026 12:42:51 +0800</pubDate></item><item><title>汽车电子铜线键合可靠性测试体系全面升级</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1201.html</link><description>&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 随着&lt;u&gt;汽车电子&lt;/u&gt;对可靠性、成本与性能要求的持续提升，铜线（Cu Wire）键合作为替代金线/铝线的重要封装工艺，已被广泛应用于车规器件中。铜线在导热、导电性能及成本控制方面具有显著优势，但与此同时，其易氧化、材料界面复杂、热膨胀系数不匹配等问题，也对封装可靠性提出了更高挑战。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 汽车电子委员会（AEC）于2025年6月发布了AEC‑Q006 Rev‑B版本。该版本在原有标准基础上进行了多项关键更新，进一步优化了验证流程、强化了对失效机理的关注，并显著提升了标准的工程适用性。这是针对铜线键合工艺可靠性测试的一次重要修订，为全球汽车电子产业链提供了更加科学、高效且贴合实际应用的质量管控依据。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 测试流程优化&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 引入双方案设计，缩短验证周期&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●方案一&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 在完成1X应力测试后，执行ATE测试并需进行全套的物理分析与破坏性物理分析（DPA），若结果合格则通过，否则需要进行2X应力测试。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●方案二&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 直接进行2次应力测试,ATE测试通过后可不进行DPA测试。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 测试项目变更&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 聚焦关键失效，简化冗余环节&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●取消了&lt;u&gt;PTC&lt;/u&gt;测试&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●增加了SEM对键合点（Stitch）的检查&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●2X应力后的DPA测试变更为可选项目（推荐执行）&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 细化变更验证范围&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 铜线变更的资格&lt;u&gt;认证&lt;/u&gt;测试要求进一步明确&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●Rev-B版本标准明确定义了铜线变更需要重新验证的类型，包括引线框架镀层材料及尺寸、键合工艺、芯片贴装，封装材料及封装类型等。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 失效机理解析&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 铜线键合风险集中点与成因剖析&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●焊球下芯片崩裂&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 由于铜线需要更大的焊球键合力，焊盘及其下方结构发生损伤或开裂的风险更高（弹坑/开裂等）。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●沿Cu/Al金属间化合物（IMC）界面的腐蚀&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 在潮湿环境中，塑封料中的微量污染物、添加剂引发腐蚀&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●Cu/Al金属间化合物（IMC）形成不足&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 在完成1X应力测试后，执行ATE测试并需进行全套的物理分析与破坏性物理分析（DPA），若结果合格则通过，否则需要进行2X应力测试。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 过大的键合力导致铝焊盘飞溅&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 热超声键合过程中，键合温度 / 超声功率 / 压力参数优化不足&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 焊球键合过程中发生氧化等&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; ●焊点尾部/楔形键合位置开裂&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 在完成1X应力测试后，执行ATE测试并需进行全套的物理分析与破坏性物理分析（DPA），若结果合格则通过，否则需要进行2X应力测试。&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 焊点所在的引脚端部或附近发生分层&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 塑封料固化过程影响&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 封装材料之间存在较大的热膨胀系数（C&lt;u&gt;TE&lt;/u&gt;）失配&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; 器件材料与客户端电路板材料在性能上的不匹配（如玻璃化转变温度 Tg、CTE、弹性模量等）&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; AEC-Q006-RevB测试要求&lt;/p&gt; 
&lt;p style=&quot;text-indent:2em;&quot;&gt; &lt;img src=&quot;https://file1.elecfans.com/web3/M00/56/2B/wKgZPGnrKFWAU28mAASUyTtPLpo441.png&quot; alt=&quot;8a8fb2a4-3e30-11f1-90a1-92fbcf53809c.png&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt;</description><pubDate>Sat, 25 Apr 2026 11:42:56 +0800</pubDate></item><item><title>“引客入鲁”再加码 2026年山东省入境旅游促进计划发布</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1200.html</link><description>&lt;p&gt;　　中新网淄博4月23日电(记者 赵晓 王峰)23日晚，在山东省文旅产业高质量发展大会开幕现场，2026年山东省入境旅游促进计划正式发布，从“引客”“留客”“宠客”三个维度出发，再度加大“引客入鲁”力度。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　上述计划提出，该省将实施“好客山东”境外整体营销计划，在东亚、东南亚等客源市场建立山东文旅的宣传推广阵地，整合市场调研、旅展参展、广告投放、线上活动等功能，进一步开发客源市场。&lt;/p&gt;  
&lt;img style=&quot;display:block; margin:auto;cursor: pointer;&quot; src=&quot;https://i2.chinanews.com.cn/simg/ypt/2026/260423/9098f9ba-df3a-476c-9687-1a6dae0483e3_zsite.jpg&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;   《山东省“引客入鲁”奖补办法》出台。赵晓 摄  
&lt;p&gt;　　同时，《山东省“引客入鲁”奖补办法》正式出台，安排专门资金，对招徕入境游客、组织入境包机、开展境外营销的旅行社予以奖补。政策有效期从原来的1年延长至3年，保留了对入境大团队、境外市场开拓等4大类、8个情形的奖励，并全新设立“好客山东·半岛1号”专项奖励，鼓励旅行社组织省外团队来山东坐船看海。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　在“宠客”方面，山东将开展入境旅游服务提升专项行动，优化国际航线、边检通关、外币支付、国际消费等全流程服务，招募外语志愿者辅助导游讲解，配合做好离境退税“即买即退”试点，让入境游客乘兴而来，满载而归。&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　韩国韩中文化交流会中央会长姜元求曾多次带团来山东淄博参加姜太公祭礼。他在接受记者采访时说，韩国与山东地缘相近，人文相通，很多韩国姓氏源自山东。韩国民众对山东的历史文化抱有很强的好奇心，经常到山东寻根或旅游。“随着签证政策日益便利、交通愈加便捷，韩国与山东之间的人员往来将更加密切。”&lt;/p&gt; 
&lt;p&gt;　　数据显示，2025年，山东共接待入境游客169.7万人次，同比增长46.6%；实现入境旅游收入11.3亿美元，同比增长46.3%。(完)&lt;/p&gt; 
&lt;table border=&quot;0&quot; cellspacing=&quot;0&quot; cellpadding=&quot;0&quot;&gt; 
 &lt;tbody&gt; 
  &lt;tr&gt; 
   &lt;td&gt;    &lt;/td&gt; 
  &lt;/tr&gt; 
 &lt;/tbody&gt; 
&lt;/table&gt;    
&lt;span&gt;【编辑:刘阳禾】 &lt;/span&gt;</description><pubDate>Fri, 24 Apr 2026 14:37:32 +0800</pubDate></item><item><title>福莱蒽特(605566):中信证券股份有限公司关于杭州福莱蒽特股份有限公司使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的核查意见</title><link>https://www.uhodaf.cn/shangtou/1199.html</link><description>原标题:福莱蒽特:中信证券股份有限公司关于杭州福莱蒽特股份有限公司使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的核查意见 
&lt;br&gt; 
&lt;p&gt;&lt;img src=&quot;https://quote.cfi.cn/drawprice.aspx?style=middle&amp;amp;w=600&amp;amp;h=270&amp;amp;v=1&amp;amp;type=day&amp;amp;exdate=20260424&amp;amp;stockid=109391&amp;amp;stockcode=605566&quot; class=&quot;aligncenter&quot;&gt;&lt;/p&gt; 
&lt;br&gt; 中信证券股份有限公司 
&lt;br&gt; 关于杭州福莱蒽特股份有限公司 
&lt;br&gt; 使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的核查意见 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 中信证券股份有限公司（以下简称“保荐机构”、“中信证券”）作为杭州福莱蒽特股份有限公司（以下简称“公司”或“福莱蒽特”）首次公开发行股票持续督导的保荐机构，根据《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所股票上市规则》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 1号——规范运作》和《上市公司募集资金监管规则》等相关法律法规的要求，就公司继续使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的情况进行了审慎核查，具体情况如下： 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 一、募集资金基本情况 
&lt;br&gt; 根据中国证监会核发的《关于同意杭州福莱蒽特股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]3063号），公司获准向社会公开发行人民币普通股（A股）3,334万股，发行价格为 32.21元/股，募集资金总额为 107,388.14万元，减除发行费用人民币 9,983.07万元后，募集资金净额为人民币 97,405.07万元。天健会计师事务所（特殊普通合伙）于 2021年 10月 15日出具了《验资报告》（天健验[2021]569号）。公司对募集资金采取了专户存储制度，设立了相关募集资金专项账户。募集资金到账后，已全部存放于经公司董事会批准开设的募集资金专项账户内，具体情况详见公司 2021年 10月 22日披露于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）的《杭州福莱蒽特股份有限公司首次公开发行股票上市公告书》。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 二、本次使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的基本情况 
&lt;br&gt; 在保证不影响公司业务发展、募投项目建设资金需求以及保证资金安全的前提下，公司（含子公司）拟使用总额不超过人民币 70,000万元的暂时闲置募集资金进行现金管理，具体情况如下： 
&lt;br&gt; （一）投资目的 
&lt;br&gt; 为提高募集资金使用效率，在确保不影响募集资金项目建设和募集资金使用的情况下，合理利用部分暂时闲置募集资金进行现金管理，为公司及股东获取更多的回报。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （二）现金管理产品品种 
&lt;br&gt; 本次拟使用暂时闲置募集资金投资安全性高、流动性好的一年期内的理财产品、结构性存款及其他低风险投资产品，且该等现金管理产品不得用于质押，不用于以证券投资为目的的投资行为。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （三）投资额度及决议有效期 
&lt;br&gt; 根据公司资金整体运营情况，公司秉承资金效益最大化的原则，在不影响公司募投项目的开展、不变相改变募集资金用途及确保资金安全的前提下，对不超过人民币70,000万元的闲置募集资金通过购买安全性高、流动性好的理财产品、结构性存款及其他低风险投资产品降低财务成本。在总额不超过人民币 70,000万元额度内，资金可以循环使用。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 投资额度有效期自 2025年年度股东会审议通过之日起 12个月内有效，单个理财产品或结构性存款的投资期限不超过 12个月。相关投资在上述额度及决议有效期内可以循环滚动使用。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （四）实施方式 
&lt;br&gt; 公司董事会授权公司董事长在上述额度范围内行使投资决策权并签署相关合同文件，具体事项由公司财务部负责组织实施。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （五）信息披露 
&lt;br&gt; 公司将依据中国证券监督管理委员会、上海证券交易所的相关规定，及时履行信息披露义务，不会变相改变募集资金用途。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （六）现金管理分配及收益 
&lt;br&gt; 公司（含子公司）使用暂时闲置募集资金进行现金管理所获得的收益归公司所有，并严格按照中国证监会及上海证券交易所关于募集资金监管措施的要求进行管理和使用，现金管理到期后将归还至募集资金专户。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 三、对公司日常经营的影响 
&lt;br&gt; 公司（含子公司）本次计划使用暂时闲置募集资金进行现金管理是在确保公司募投项目所需资金和保证募集资金安全的前提下进行的，不会影响公司日常资金正常周转需要和募集资金投资项目的正常进行，亦不会影响公司主营业务的正常发展。同时，通过对暂时闲置的募集资金适度、适时的现金管理，可以提高资金的使用效率，增加公司收益，从而为公司和股东谋取较好的投资回报。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 四、投资风险及风险控制措施 
&lt;br&gt; （一）投资风险 
&lt;br&gt; 本次公司投资的产品为安全性高、流动性好的一年期内的理财产品、结构性存款及其他低风险投资产品。但金融市场受宏观经济的影响较大，公司将根据经济形势以及金融市场的变化适时适量的介入，但不排除该等投资受到市场波动的影响。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; （二）风险控制措施 
&lt;br&gt; 1、为控制风险，公司将使用闲置募集资金投资的产品品种为安全性高、流动性好的理财产品、结构性存款及其他低风险投资产品。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 2、公司将严格遵守审慎投资原则，严格筛选发行主体，选择信誉好、规模大、资金安全保障能力强的发行机构。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 3、公司财务部门将及时分析和跟踪理财产品投向、项目进展情况，如发现或判断有不利因素，将及时采取相应的保全措施，控制投资风险。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 4、公司内审部对资金使用情况进行监督。独立董事、审计委员会有权对资金使用情况进行监督与检查，必要时可以聘请专业机构进行审计。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 5、公司将根据上海证券交易所的相关规定，及时履行信息披露义务。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 五、审议程序 
&lt;br&gt; 2026年 4月 22日，第三届董事会第三次会议，审议通过了《关于使用部分闲置募集资金进行现金管理的议案》。该事项尚需提交 2025年年度股东会审议。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 六、保荐机构核查意见 
&lt;br&gt; 经核查，保荐机构认为： 
&lt;br&gt; 公司使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的事项已经公司董事会审议通过，履行了必要的法律程序，尚需提交公司股东会审议。该事项符合相关的法律法规及交易所规则的规定；公司本次使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的事项符合《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所股票上市规则》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 1号——规范运作》和《上市公司募集资金监管规则》以及公司募集资金管理制度等相关规定，不存在变相改变募集资金使用用途的情况，不会影响公司募集资金投资计划的正常实施；在保障公司正常经营运作和资金需求，且不影响募集资金投资项目正常实施的前提下，公司通过开展现金管理，可以提高资金使用效率，符合公司和全体股东的利益。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 综上，保荐机构对公司本次使用部分暂时闲置募集资金进行现金管理的事项无异议。 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt; 
&lt;br&gt;</description><pubDate>Fri, 24 Apr 2026 14:13:40 +0800</pubDate></item></channel></rss>